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職責(zé)描述： 先進存儲器三維架構(gòu)和集成研究，先進存儲器材料和工藝研究；先進封裝架構(gòu)和關(guān)鍵模塊開發(fā)。 任職要求： 1. 博士優(yōu)先，半導(dǎo)體相關(guān)工作3-5年經(jīng)驗； 2. 深入了解架構(gòu)和工藝，了解材料的底層邏輯和工藝需求，能夠?qū)Ψ桨高M行全面思考和設(shè)計，推動新設(shè)備和新材料的驗證，主導(dǎo)和推動關(guān)鍵技術(shù)節(jié)點技術(shù)研發(fā)落地，培訓(xùn)和指導(dǎo)他人； 3. 對整體架構(gòu)和工藝有深入的理解和認知，能夠串起來前后技術(shù)工藝步驟，分析不同技術(shù)代產(chǎn)品的Chip Size/Cost，對架構(gòu)和工藝的優(yōu)化提出合理化建議； 4. 結(jié)合架構(gòu)和工藝的需求，給出Design Rule，組織相關(guān)人員，全面推動 Test Chip的設(shè)計/TO落地; 5. 結(jié)合對架構(gòu)和工藝的理解，提前預(yù)判影響良率的關(guān)鍵工藝流程，并給出解決和監(jiān)控建議； 6. 能夠洞察架構(gòu)和工藝的痛點，給出架構(gòu)和工藝仿真的構(gòu)想。