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崗位職責(zé)： 1.制定DRAM（包括DDR4/DDR5/LPDDR5等）Burn In（高溫老化/應(yīng)力測(cè)試向量開發(fā)）方案，包括老化應(yīng)力測(cè)試策略制定（溫度、電壓等）、BI board設(shè)計(jì)、BI技術(shù)文檔編寫與測(cè)試程序開發(fā)、調(diào)試，確保老化及測(cè)試方案符合產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)（如JEDEC規(guī)范）及客戶需求。 2.監(jiān)控Burn In測(cè)試過程，跟蹤失效率、良率、等關(guān)鍵指標(biāo)，及時(shí)發(fā)現(xiàn)并處理Burn In測(cè)試生產(chǎn)過程中的測(cè)試異常批次，能夠排查識(shí)別制造工藝、產(chǎn)品設(shè)計(jì)、測(cè)試硬件等引起的測(cè)試異常，提升產(chǎn)品可靠性和良率；優(yōu)化Burn In測(cè)試流程，提升測(cè)試效率與測(cè)試覆蓋率，同時(shí)降低測(cè)試成本； 3.分析測(cè)試數(shù)據(jù)，識(shí)別產(chǎn)品缺陷和可靠性風(fēng)險(xiǎn)，與DRAM設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)協(xié)作，反饋測(cè)試中發(fā)現(xiàn)的設(shè)計(jì)問題，協(xié)同設(shè)計(jì)、產(chǎn)品研發(fā)工程團(tuán)隊(duì)推動(dòng)改進(jìn)措施落地；并為產(chǎn)品研發(fā)工程團(tuán)隊(duì)提供測(cè)試數(shù)據(jù)支持。 4.自動(dòng)化和腳本開發(fā)（使用Python/Perl/C 等），提升測(cè)試效率與數(shù)據(jù)分析能力。 任職要求： 1.精通DRAM工作原理（如存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)、時(shí)序控制）及Burn In測(cè)試原理與BI老化失效機(jī)理，熟悉JEDEC等可靠性標(biāo)準(zhǔn)；有先進(jìn)工藝（1x nm及以下）DRAM產(chǎn)品Burn In方案落地經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先； 2.5年以上DRAM行業(yè)相關(guān)工作經(jīng)驗(yàn)，其中至少3年從事DRAM Burn In測(cè)試或可靠性測(cè)試相關(guān)工作， 具備DRAM BI測(cè)試機(jī)臺(tái)（如Advantest H5620、JEC6502、Ando8652）開發(fā)經(jīng)驗(yàn)者優(yōu)先， 3.掌握失效分析方法與工具，能獨(dú)立完成Burn In測(cè)試失效樣品的根本原因分析；具備扎實(shí)的數(shù)據(jù)分析能力，熟練使用統(tǒng)計(jì)工具（如JMP）和腳本語(yǔ)言（如Python、Perl）進(jìn)行自動(dòng)化處理； 4.有微電子專業(yè)背景，特別是半導(dǎo)體器件物理方向，善于自主探索學(xué)習(xí)，了解半導(dǎo)體工藝流程（如晶圓制造、封裝測(cè)試），能夠結(jié)合工藝環(huán)節(jié)識(shí)別Burn In測(cè)試中的潛在風(fēng)險(xiǎn)；具備一定的硬件設(shè)計(jì)能力，可協(xié)助開發(fā)Burn In測(cè)試板； 5. 能夠熟練閱讀英文技術(shù)文檔（如芯片Datasheet、JEDEC規(guī)范），具備英文技術(shù)溝通能力者優(yōu)先。